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所蔵

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料番号	資料区分	帯出区分	状態
一般	一般資料室	549.8/2014/	00013769559	和書	帯出可	在庫

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資料詳細

タイトル	SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術 ,
書名ヨミ	エスアイシー ジーエーエヌ パワー ハンドウタイ ノ ジッソウ ト シンライセイ ヒョウカ ギジュツ
著者	菅沼 克昭 ／編著
著者名ヨミ	スガヌマ,カツアキ
出版者	日刊工業新聞社
出版年	2014.12
ページ数, 大きさ	247p, 21cm
NDC１０版	549.8
NDC８版	549.8
一般件名	半導体 , パワーエレクトロニクス , 信頼性(工学)
ISBN	978-4-526-07339-7
著者紹介	東北大学工学系大学院原子核工学専攻博士課程修了。大阪大学産業科学研究所教授。専門は実装工学、材料工学。
内容紹介	省エネルギー技術の切り札として世界中で大規模プロジェクトが開始されているワイドバンドギャップ・パワー半導体。その実装技術に焦点を当て、重要と考えられる技術領域の専門家が、様々な角度から現状技術を詳細に述べる。

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