所蔵

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料番号	資料区分	帯出区分	状態
一般	一般資料室	540.8/2011/4	00014502926	和書	帯出可	在庫

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資料詳細

タイトル	朝倉電気電子工学大系 4,
書名ヨミ	アサクラ デンキ デンシ コウガク タイケイ
各巻書名	ナノスケール・トランジスタの物理
著者	桂井 誠 ／編集委員, 仁田 旦三 ／編集委員, 原 雅則 ／編集委員, 関根 慶太郎 ／編集委員, 塚本 修巳 ／編集委員, 大西 公平 ／編集委員
著者名ヨミ	カツライ,マコト , ニッタ,タンゾウ , ハラ,マサノリ , セキネ,ケイタロウ , ツカモト,オサミ , オオニシ,コウヘイ
出版者	朝倉書店
出版年	2018.3
ページ数, 大きさ	8,173p, 22cm
NDC１０版	540.8
NDC８版	540.8
一般件名	電気工学 , 電子工学
ISBN	978-4-254-22644-7
著者紹介	東京大学名誉教授。
内容紹介	電気電子工学分野の個性的かつ独創的な研究成果を紹介。4は、量子力学、固体物理学、半導体デバイスなどの分野の基礎知識を背景にして、ランダウアー・アプローチに基づくMOSトランジスタの動作理論を解説する。

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目次

1 はじめに

2 半導体のキャリヤ輸送

  2.1 従来の輸送理論

  2.2 微細構造の輸送理論

3 フラックスを用いたキャリヤ輸送の解析

  3.1 完全にエネルギー緩和するキャリヤ輸送

  3.2 弾性散乱系のキャリヤ輸送

  3.3 弾性散乱に光学フォノン散乱を加えた系のキャリヤ輸送

4 古典的なMOSFETの理論

  4.1 MOS接合

  4.2 MOSFET

5 バリスティックなMOSFETの理論

  5.1 2次元プラナーMOSFET

  5.2 3次元立体構造MOSFET

6 準バリスティックなMOSFETへの拡張

  6.1 Lundstromの式

  6.2 準バリスティックMOSFETのコンパクト・モデル

7 微細系のMOSキャパシタンス

  7.1 キャパシタンス成分への分割

  7.2 状態密度に由来するキャパシタンス

  7.3 反転層の厚さのキャパシタンス

  7.4 電界の遮蔽距離のキャパシタンス

8 MOSトランジスタの微細化限界

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