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次世代半導体素材GaNの挑戦貸出可

天野浩／[著] -- 講談社 -- 2020.4 -- 549.8

所蔵

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料番号	資料区分	帯出区分	状態
一般	一般資料室	549.8/2020/	00013922968	和書	帯出可	在庫

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タイトル	次世代半導体素材GaNの挑戦 ,
書名ヨミ	ジセダイハンドウタイソザイガンノチョウセン
副書名	22世紀の世界を先導する日本の科学技術
叢書名	講談社+α新書
著者	天野浩／[著]
著者名ヨミ	アマノ,ヒロシ
出版者	講談社
出版年	2020.4
ページ数, 大きさ	183p, 18cm
NDC１０版	549.8
NDC８版	549.8
一般件名	半導体 , パワーエレクトロニクス
ISBN	978-4-06-513630-0
著者紹介	1960年静岡県生まれ。名古屋大学大学院工学研究科博士後期課程単位取得満期退学。工学博士。同大学教授。2014年、ノーベル物理学賞を受賞。同年、文化勲章を受章。
内容紹介	「良いイノベーション」を生むためにどのような取り組みを行っているか。次世代の半導体素材などの研究を、企業や他大学、国立の研究所と共同で行うノーベル物理学賞受賞者が、その取り組みを紹介する。

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