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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料番号	資料区分	帯出区分	状態
一般	新着図書コーナー	549.8/2026/	00015155393	和書	帯出可	在庫

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資料詳細

タイトル	半導体デバイス基礎の基礎 ,
書名ヨミ	ハンドウタイ デバイス キソ ノ キソ
並列タイトル	Introduction to Fundamentals of Semiconductor Device
著者	廣芝 伸哉 ／著
著者名ヨミ	ヒロシバ,ノブヤ
出版者	コロナ社
出版年	2026.4
ページ数, 大きさ	9,216p, 21cm
NDC１０版	549.8
一般件名	半導体
ISBN	978-4-339-01502-7
著者紹介	筑波大学大学院数理物質科学研究科博士後期課程修了(物性・分子工学専攻)。博士(工学)。大阪工業大学准教授。
内容紹介	現代社会を支える半導体デバイス。電子の動きや基本的な構造など、半導体デバイスが動く“基礎の基礎”の部分に焦点を当て、豊富な図版とともに解説する。半導体デバイスについて本質的な理解を目指すテキスト。

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目次

1章 電気伝導から考える金属・絶縁体・半導体

  1.1 半導体とは

  1.2 半導体材料の種類と特徴

  1.3 電気伝導の基礎

  1.4 半導体の非線形な電気伝導

  1.5 まとめ

2章 半導体物理の基礎-量子力学と統計力学-

  2.1 半導体デバイスのための量子力学入門

  2.2 半導体デバイスのための統計力学入門

  2.3 まとめ

3章 結晶構造と電子状態

  3.1 半導体をつくる微細な構造

  3.2 半導体のバンド理論

  3.3 まとめ

4章 キャリヤ密度と電気伝導

  4.1 半導体内のキャリヤ

  4.2 半導体内のキャリヤ輸送現象

  4.3 まとめ

5章 pn接合

  5.1 pn接合の形成

  5.2 熱平衡状態のpn接合

  5.3 バイアス印加時のpn接合

  5.4 pn接合の電流-電圧(I-V)特性

  5.5 pn接合の接合容量と降伏現象

  5.6 まとめ

6章 トランジスタの基礎-BJTとMOSFET,異種界面-

  6.1 バイポーラトランジスタ

  6.2 BJTの電流増幅作用

  6.3 金属-半導体接合

  6.4 MOS電界効果トランジスタ

  6.5 まとめ

7章 半導体集積回路の製造プロセス

  7.1 回路設計からレイアウトへ

  7.2 CMOSインバータの製造フロー

  7.3 シリコンウェーハと半導体製造の環境

  7.4 フォトリソグラフィ

  7.5 エッチングプロセス

  7.6 配線工程とプロセスの完了

  7.7 半導体製造を支える日本の装置・材料メーカ

  7.8 まとめ

8章 半導体開発を支えるシミュレーション技術

  8.1 なぜ半導体製造でシミュレーションが必要か

  8.2 第一原理電子状態計算

  8.3 テクノロジーコンピュータ支援設計について

  8.4 回路・システムレベルのシミュレーションについて

  8.5 まとめ

9章 先進半導体材料

  9.1 化合物半導体

  9.2 酸化物半導体

  9.3 有機半導体

  9.4 炭素(カーボン)系半導体材料

  9.5 2次元材料とファンデルワールス・ヘテロ構造

  9.6 まとめ

10章 薄膜成長技術の基礎

  10.1 物理気相成長法

  10.2 化学気相成長法

  10.3 溶液プロセス(溶液法)

  10.4 スクリーン印刷法

  10.5 まとめ

11章 各種半導体デバイス・センサ

  11.1 光半導体デバイス(オプトエレクトロニクス)

  11.2 パワー半導体デバイス

  11.3 半導体センサ

  11.4 まとめ

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