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1 件中、 1 件目
電子デバイス
貸出可
水谷 孝/編著 -- オーム社 -- 2009.9 -- 549.8
SDI
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所蔵館
所蔵場所
請求記号
資料番号
資料区分
帯出区分
状態
一般
一般資料室
549.8/2009/
00012249876
和書
帯出可
在庫
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資料詳細
タイトル
電子デバイス ,
書名ヨミ
デンシ デバイス
叢書名
新インターユニバーシティ
著者
水谷 孝
/編著
著者名ヨミ
ミズタニ,タカシ
出版者
オーム社
出版年
2009.9
ページ数, 大きさ
6,167p, 21cm
NDC10版
549.8
NDC8版
549.8
一般件名
半導体
,
集積回路
ISBN
978-4-274-20764-8
著者紹介
名古屋大学大学院工学研究科博士課程前期課程修了。同大学大学院工学研究科量子工学専攻教授。工学博士。
内容紹介
電子デバイスを学ぶ上で重要な半導体の基礎を解説。その上でpn結合や、金属-酸化物-半導体(MOS)構造、MOS電界効果トランジスタ、集積回路の作り方などを詳述する。各章末にまとめと演習問題付き。
内容注記
文献:p155〜156
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目次
序章 電子デバイスの学び方
1 トランジスタ開発の歴史を振り返ろう
2 本書の構成
3 電子デバイスの学び方
1章 半導体の基礎
1 半導体のエネルギーバンドとは?
2 正の電荷をもつ粒子-正孔とは?
3 半導体にキャリヤを導入する
4 キャリヤ濃度とフェルミ準位について学ぼう
5 半導体中で電気はどのように流れるのか?
6 拡散電流とは何か?
7 少数キャリヤ連続の式
まとめ
演習問題
2章 pn接合
1 pn接合の構造とエネルギーバンド図,内蔵電位,分布関数を理解しよう
2 少数キャリヤの注入と拡散
3 pn接合の電流-電圧特性を理解しよう
4 pn接合の容量を計算してみよう
5 逆バイアスにおける降伏現象について理解しよう
6 トンネルダイオードの特性を理解しよう
まとめ
演習問題
3章 バイポーラトランジスタ
1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理を学ぼう
2 電流増輻率は何によって決まるのか
3 低電流,高電流での電流増幅率低下はなぜ起こるのか
4 アーリー効果とパンチスルーについて理解しよう
5 遮断周波数とスイッチング特性を学ぼう
まとめ
演習問題
4章 pn接合を用いた複合素子
1 pnダイオードと伝導度変調効果
2 サイリスタの構造と動作原理を理解しよう
3 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造と動作原理を理解しよう
まとめ
演習問題
5章 絶縁体-半導体界面
1 MIS構造と界面準位を理解しよう
2 理想的なMIS構造の基本特性を理解しよう
3 実際のMIS構造を理解しよう
まとめ
演習問題
6章 MOS形電界効果トランジスタ(MOSFET)
1 構造と動作原理を理解しよう
2 電流-電圧特性を理解しよう
3 エンハンスメント形とデプレション形の違いを理解しよう
4 nチャネルとpチャネルの違いを理解しよう
まとめ
演習問題
7章 MOS形電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
1 MOSFETの諸現象を理解しよう
2 電荷結合素子を理解しよう
まとめ
演習問題
8章 ショットキー接合とヘテロ接合
1 ショットキー接合について学ぼう
2 ヘテロ接合を理解しよう
まとめ
演習問題
9章 ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
1 ショットキーゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
2 接合ゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
3 高電子移動度トランジスタについて学ぼう
まとめ
演習問題
10章 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
1 バイポーラトランジスタを復習しよう
2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特徴を理解しよう
3 電流利得遮断周波数と最大発振周波数を理解しよう
4 HBTの利点を整理しよう
5 ベース電流の要因と電流増幅率について考えよう
まとめ
演習問題
11章 量子効果デバイス
1 デバイスサイズの縮小とトンネル効果
2 実際のMOSFETにおけるトンネル効果
3 トンネル現象の応用-フラッシュメモリ
4 さらに高度なトンネル効果-共鳴トンネル効果
5 もっと電子を閉じ込めると何が起こる?
まとめ
演習問題
12章 デバイスの集積
1 MOS集積回路の構造と作り方
2 相補形論理回路とは?
3 値を記憶する回路
まとめ
演習問題
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