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ＳｉＣ素子の基礎と応用 貸出可

荒井 和雄／共編 -- オーム社 -- 2003.3 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料番号 資料区分 帯出区分 状態
一般 一般資料室 549.8/2003/ 00011100195 和書 帯出可 在庫 iLisvirtual

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タイトル ＳｉＣ素子の基礎と応用 ,
書名ヨミ エスアイシー　ソシ　ノ　キソ　ト　オウヨウ
著者 荒井 和雄 ／共編, 吉田 貞史 ／共編  
著者名ヨミ アライ,カズオ , ヨシダ,サダフミ
出版者 オーム社
出版年 2003.3
ページ数, 大きさ 270p, 22cm
NDC１０版 549.8
NDC８版 549.8
一般件名 半導体
著者紹介 (独)産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター勤務。
内容紹介 注目のSiC素子開発の現状と問題点を明らかにし、それがいかにパワーエレクトロニクスに革新をもたらそうとしているかを詳述。SiCの基礎事項、実証、応用と波及効果および今後の展開などをまとめる。

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